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ULVAC 愛發(fā)科濺射設(shè)備:CS-200z
在真空條件下,氬氣在DC或RF作用下產(chǎn)生氬離子,高能的氬離子撞擊靶材 產(chǎn)生濺射。濺射出的原子或分子離開靶材,沉積在基板表面,形成薄膜。成膜種類:金屬,合金材料,SiO2,TaN,陶瓷等。成膜面積大,均勻性好,Load-lock,托盤式,多基板尺寸,2inch-8inch兼容。
產(chǎn)品描述
產(chǎn)品特性 / Product characteristics
• Loadlock式,自動運行,操作簡單
• 成膜面積大,均勻性好
• T/S距離60~180mm可調(diào),適用廣
• 可換托盤式,基板尺寸切換簡便
• 2~8inch,方片,未定型片,切換兼容
• 向上濺射,向下濺射可選,顆粒抑制
產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application
• 半導體,LED,電力電子,高校及研究所等。